各界での注目材料技術とその展開

摘要

応用物理学会の横間紙「応用物理」の7月号では、「半導体光学デバイスとウェーハ技術の歩み」を採り上げた解説記事を掲哉しています。様々な波長領域のデバイスの紹介ということで、γ線領域では、極めて高い大放射線·耐熱が求められる原子炉格納容器内での放射線計測システムが解説されています。可視·赤外領域では、実用化が進むレーザーディスプレイについて、開発の現状及び将来展望が紹介されています。また、か－ボンナノチエーフ／グラフェンを利用した光ファイバーデバイス、太陽電池モジュールの信頼性評価法について、最新の研究が紹介されています。一方、テラヘルツ領域では、か－ボンナノチューブアレイ·グラフェン·半導体ヘテロ界面2次元電子ガスという低次元電子系の機能によるテラヘルツ彼の検出．分光·撮像デバイスについて述べられています。他方、ウェーハは様々なデバイスを作製する際の基盤であり、高品質ウェーハを作成する技術やウェーハ自身に機能を付加する技術も活発に研究されている、ということで究極の半導体と言われるダイヤモンドのヘテロエビタキシヤルウェーハ作製と、産業応用で極めて重要なシリコンウェーハにおいて重金属を捕獲·除去するゲッタリングの凝新技術が、開発の歴史を踏まえて解説されています。