IoT向け端末に組み込まれるコンパレータ回路のバイアス電流を最適化した0.6V動作ReRAM書き込み電圧生成回路

摘要

バッテリーレスなIoT向け端末に組み込まれるデータストレージとして，低電圧·低電力書き込み可能な抵抗変化型メモリ（ReRAM）が注目されている．本論文では，0.6V動作ReRAM向け書き込み電圧生成回路を制御するコンパレータ回路のバイアス電流の最適化手法を提案する．提案手法により，コンパレータ回路のバイアス電流を2mAで固定とした場合と比較して書き込み電圧のリップルが26%減少し，コンパレータ回路のバイアス電流を8mAで固定とした場合と比較して効率が8.9%増加した．