カラムアクセス8.4ns,1.6Gbspデータ転送を実現する512M DDR3 SDRAMのデータ転送回路技術の開発

久保内修一; 藤澤宏樹; 黒木浩二; 西岡直久; 利穂吾郎; 野田浩正; 藤井勇; 余公秀之; 瀧下隆治; 伊藤孝洋; 田中均; 中村正行; Shuichi KUBOUCHI; Hiroki FUJISAWA; Koji KUROKI; Naohisa NISHIOKA; Yoshiro RIHO; Hiromasa NODA; Isamu FUJII; Hideyuki YOKO; Ryuuji TAKISHITA; Takahiro ITO; Hitoshi TANAKA; Masayuki NAKAMURA

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カラムアクセス8.4ns,1.6Gbspデータ転送を実現する512M DDR3 SDRAMのデータ転送回路技術の開発

机译：列访问8.4ns，1.6 GBSP数据传输数据传输电路技术512M DDR3 SDRAM

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DDR3 SDRAMにおいて1.6Gbpsデータ転送を実現するため，2つの回路技術を開発した．(1)メモリアレイから同時に読み出した8ビットのデータを4ビットずつ時分割にGIO線を転送する擬似4ビットプリフェッチGIO線転送方式により，カラムアクセス時間を11.3nsから8.13nsに短縮した．(2)外部クロックを2分周した2相クロックで制御するレーテンシカウンタ回路により，最小クロックサイクル時間を1.7nsから1.2nsに短縮した．本技術を採用した512M DDR3 SDRAMにおいて，CL7で1.67Gbpsの高速データ転送を実現した．

机译：DDR3 SDRAM开发了两种电路技术，以实现1.6 Gbps数据传输。（1）伪4位预取GIO线路传输方法，用于通过伪4位预取GIO线路传输方法将GIO线与存储器阵列同时传送到时分，用于将GIO线传输到11.3ns至11.3 ns 8.13 ns。（2）通过使用两个相位时钟控制的额相时钟被除以2，通过控制的最小时钟周期时间从1.7 ns缩短到1.2ns。在512米DDR3 SDRAM采用本技术中，CL7实现了1.67 Gbps的高速数据传输。

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来源
《電子情報通信学会技術研究報告. 集積回路. Integrated Circuits and Devices》 |2006年第2期|共6页
作者
久保内修一; 藤澤宏樹; 黒木浩二; 西岡直久; 利穂吾郎; 野田浩正; 藤井勇; 余公秀之; 瀧下隆治; 伊藤孝洋; 田中均; 中村正行; Shuichi KUBOUCHI; Hiroki FUJISAWA; Koji KUROKI; Naohisa NISHIOKA; Yoshiro RIHO; Hiromasa NODA; Isamu FUJII; Hideyuki YOKO; Ryuuji TAKISHITA; Takahiro ITO; Hitoshi TANAKA; Masayuki NAKAMURA;
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作者单位

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收录信息
原文格式 PDF
正文语种 jpn
中图分类微电子学、集成电路（IC）;
关键词
DRAM; Double Data Rate 1 (DDR1); DDR2; DDR3; Prefetch; Latency; Counter; SDRAM; CMOS;

机译：DRAM;双数据速率1（DDR1）;DDR2;DDR3;预取;延迟;柜台;SDRAM;CMOS;

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