小型カンチレバー型MEMSスイッチの高周波特性

摘要

シリコン基板に金メッキ技術とニッケルを犠牲層としたマイクロマシニング技術を用い，また，接点を駆動するバイアス電圧を高周波線路に重畳させることで，小型化を実現したRF－MEMSスイッチの測定結果については既に報告している8ここでは，このスイッチの高周波特性を表す等価回路を検討し，駆動電極の高周波特性を加味した等価回路を報告する。得られた等価回路は高周波特性を実測値と比較することで，その妥当性を検証した。