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単層力ーボンナノチューブのSTM研究

机译:单层与骨纳米管的STM研究

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摘要

単層力囲ボンナノチューブ(S闇討T)の低温STM測定により得られたトンネルスペクトルのピークは、SWNTの一次元バンド構造を反映するといわれている電子状態密度、van Hove Si盟騨且a官五官呈es(Ⅴ説S)を示している0この論文では、SWNTのSTM観察から、この状態密度のピークのキャラクタリゼーションを行い、tight binding計算の結果と比較した.試料SW闘はパルスレーザー蒸発法により成長させた. STMおよびSTS観察用の試料は、精製したSWNT のdichloroethane SuSpenshionをAu(111)面上にスピン塗布し、超高真空STM中、温度77監または4Kで観察した.SWNTの構造因子(n,m)は実験からのカイラル角値βexpおよび直径Dexpにより決めた。
机译:通过低温STM测量获得的单层车身Bonno管(S暗Toshi T)获得的隧道谱的峰值反映了SWNT的一维带结构,van Hove Si在此中的A-Orienth本文从SWNT STM观察中进行了本文的纸张,并与紧密结合计算的结果进行了这种状态密度峰表征。样本SW战斗是STM和STS观察的脉冲激光蒸发方法样品旋转- 用纯化的SWNT二氯乙烷悬浮蛋白在Au(111)平面上,并在超高真空STM中用温度77监管或4K观察。通过从实验中的手性角度β和直径dexp测定SWNT结构因子(n,m)。

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