FeSiB フリー層を有するスピンバルブ型 GMR 歪みセンサ

摘要

GMR 素子は 2 端子の抵抗として扱うことができるため，磁気記録以外にも多様な磁気センサとして利用する研究が行われている．スピンバルブ構造を持つ GMR 素子に対して，磁化自由層の磁化方向を歪みによって変化させると，歪みセンサとして利用することができる．磁性材料に歪みを加えると磁歪の逆効果により磁気異方性が変化するが，本研究ではフリー層の磁化方向を交流磁界で変調することで，この磁気異方性の変化を高感度で検出するとともに，外乱磁界に強い歪みセンサを試作した．