Модификация поверхностных свойств эпитаксиальных слоев PbSnTe〈In〉 с составом вблизи инверсии зон

摘要

Приведены результаты изучения выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии высокоомных слоев Pb_(1-x)Sn_xTe(In) на подложках BaF_2 (111) с составами, близкими к инверсии зон. Проведены исследования вольт-амперных характеристик и релаксационных зависимостей фототока структур в зависимости от химической обработки поверхности и последующей экспозиции образцов на воздухе. Обнаружена существенная трансформация наблюдаемых характеристик от физико-химического состояния поверхности. Установлено, что химическая обработка поверхности в растворе соляной кислоты в изопропиловом спирте приводит к увеличению тока до 10~4 раз с последующим восстановлением вольт-амперных характеристик при экспозиции образцов на воздухе в течение нескольких суток.