МАЛЫЕ КЛАСТЕРЫ СеO_2 НА ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ НАНОЧАСТИЦ

摘要

Синтезированы нанокомпозитные сенсоры, содержащие кластеры СеO_2 на поверхности нанокристаллов In_2O_3 и SnO_2, и определены спектры комбинационного рассеяния (КР) полученных систем. Установлено, что в нанокластерах СеO_2, осажденных на кристаллы In_2O_3, частота колебаний Се-О составляет 462 см~(-1) и не зависит от концентрации СеO_2. В спектре КР кластеров, осажденных на кристаллы SnO_2, обнаружены два пика, характеризующие колебания Се-О, с частотами 462 и 470 см~(-1). Сделан вывод, что пик при 470 см~(-1) проявляется при малых концентрациях СеO_2 в композите (1-3 маc. %), и интенсивность его быстро уменьшается с увеличением концентрации СеO_2; этот пик относится к кластерам СеO_2, непосредственно контактирующим с кристаллами SnO_2 и содержащими растворенный Sn~(+4). Показано, что при осаждении СеO_2 на In_2O_3 переход ионов ?n~(+3) в осажденные кластеры СеO_2 не реализуется из-за различия зарядов и валентности ионов металла в субстрате и кластерах; средний размер кластеров составляет 9 нм. Обсуждена связь между структурой нанокластеров СеO_2 и их влиянием на сенсорные эффекты.