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光再構成型ゲートアレイのホログラムメモリ部の放射線耐性

机译:光重建门阵列全息图存储部分的辐射电阻

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摘要

我々は現在,レーザアレイ,ホログラムメモリ,ゲートアレイVLSIから構成され,光による高速動的再構成が可能な光再構成型ゲートアレイについて研究開発している.光再構成型ゲートアレイは放射線に対して高い耐性を有する.しかし,これまで光再構成型ゲートアレイの耐放射線エミュレーション試験を行ってきたが,実際に放射線を照射した試験は行っていなかった.この度,光再構成型ゲートアレイのホログラムメモリに対してガンマ線を照射し,構成試験を実施した.本稿では,この試験を通して,光再構成型ゲートアレイのホログラムメモリの放射線耐性を示す.
机译:它目前激光阵列,全息内存,由门阵列VLSI组成,并通过光线可重新配置的栅极阵列进行研究和开发快速动态重建。 光学可重构的栅极阵列具有高抗辐射的抗性。 但到目前为止已经进行了光学可重构门阵列的辐射电阻仿真试验,测试辐照实际上辐射没有去。 这次,伽马照射全息内存光学可重构门阵列,它进行了配置测试。 本文通过该研究,示出了全息图存储光学可重构栅极阵列的辐射电阻。

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