ПОЛУЧЕНИЕ И ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТiSi_2(С49) НА КРЕМНИЕВОЙ ПОДЛОЖКЕ ПРИ БЫСТРОЙ ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКЕ

摘要

Синтезирована новая полупроводниковая структура ТiSi_2(С49)/Si на основе кремниевой технологии, обладающая, как фотоэлектрическими, так и люминесцентными свойствами и перспективная для использования в оптоэлектронных парах. Методом ИК-спектроскопии установлено, что увеличение температуры синтеза дисилицида титана в модификации С49 приводит к росту коэффициента отражения на 15% в области волновых чисел 500-1000 см~(-1) и на 30% в области 3000-4000 см~(-1). Впервые при возбуждении в диапазоне 360-390 нм на пленках ТiSi_2(С49) обнаружена полоса люминесценции от 400 до 750 нм, согласующаяся со спектральным распределением фоточувствительности.