全光スイッチのための単層グラフェン垂直挿入型および装荷型光導波路における可飽和吸収特性の検討·

摘要

信号光の振幅制御による全光スイッチを提案し検討してきた。本スイッチは、2段の縦続接続されたマッハ·ツェンダー干渉計からなり、1段目の干渉計において信号光の振幅を制御光により制御する。スイッチングのため、光振幅で2.414倍、光強度では7.65dBだけ制御できる必要がある。ここではグラフェンの可飽和吸収特性を利用したピコ秒光スイッチングを実現するための基礎特性として、光ファイバ間に垂直に配置された単層グラフェンおよびグラフェン装荷イオン交換光導波路において可飽和吸収特性を測定した。7mm長のグラフェン装荷型の光導波路においてスイッチング条件に十分な10dB以上の強度変化が得られることを確認した。