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ウエーハスケールLSI微細配線応用に向けたナノカーボン材料技術

机译:用于晶圆尺度LSI精细接线应用的纳米碳材料技术

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摘要

グラフエン·力一ボンナノチューブ(CNT)などのナノカーボン 材料はその特異な物性から幅広い応用が期待されている.中で も,LSIやメモリに代表されるウエーハスケールでの微細集積半 導体デバイスブロセスへの適用は巨大な市場規模と相まって大き な波及効果が期待される.本稿では.300 mm径ウヱ一ハスケールでのLSI微細配線応用に向けたグラフエンおよびCNTの 低温成長や伝導制御などの材料技術,および微細配線形成技術 の開発動向について,(株)東芝?東京エレクトロン(株)·(株)荏原製作所グループの研究結果を中心に紹介する.
机译:预期纳米碳材料如移植物 - 能量的Bonno纳米管(CNT)从其特定物理性质具有广泛的应用。其中,在LSI和存储器中表示的晶片尺度中的微集成半导体器件块中的微集成半导体器件块巨大的市场预计将是一个大的市场规模。本文采用了一种材料技术,如在300毫米金刚石机构上为LSI精细接线应用的降低温度生长和CNT的低温生长和传导控制。以及发展趋势东京电子有限公司的精细布线形成技术·东欧电子有限公司·介绍了Ebarahara制造集团公司研究成果的结果。

著录项

  • 来源
    《应用物理》 |2018年第2期|共6页
  • 作者

    酒井 忠司;

  • 作者单位

    株式会社東芝研究開発本部研究開発センター;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 jpn
  • 中图分类 应用物理学;
  • 关键词

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