МЕХАНИЗМЫ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПОЛЯРИЗАЦИИ ПЕРОВСКИТНОЙ КЕРАМИКИ РЕЛАКСОРНЫХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКОВ (1-X)(NABI)_1/2 TIO_3 - XBI(ZNTI)_1/2 O_3 (X<0.2)

摘要

Представлены результаты исследования диэлектрических свойств керамики релаксорных сегнетоэлектриков (1-x)(NaBi)_1/2 TiO_3 - xBi(ZnTi)_1/2 O_3 (x<0.2) по импеданс-спектрам, измеренным в диапазоне частот 25 - 10~6 Hz при температурах 100 - 1000 K. Установлено, что температурная зависимость действительной части диэлектрической проницаемости характеризуется максимумом при температуре T'_m (590 - 610 K). Показано, что в области температур проявления релаксорного состояния (TT'_m выявлено два механизма поляризации. Один из них обусловлен тепловым прыжковым движением зарядов, второй дает отклик индуктивного типа (система с отрицательной емкостью). Последний вносит отрицательный вклад в действительную часть varepsilon и положительный вклад в мнимую часть. С использованием эквивалентной схемы, включающей элемент постоянной фазы индуктивного типа, проведен количественный анализ экспериментальных данных. Работа выполнена при поддержке Белорусского республиканского фонда фундаментальных исследований (грант N Т11-052).