Эволюция доменных процессов при переходе от классическогосегнетоэлектрика к сегнетоэлектрику-релаксору

摘要

Исследованы зависимости относительной диэлектрической проницаемосги от величины внешнего смещающего электрического поля керамик системы yPZN-mPMN-nPNN-хPT (х = 0.25-0.40). Показана эволюция доменных процессов при концентрационном переходе от классического сегнетоэлектрика к сегнетоэлектрику-релаксору. Сделаны предположительные выводы о механизмах протекания индуцированных электрическим полем переходов из релаксорного в нормальное" сегнетоэлектрическое состояние.