Доменный эпитаксиальный рост сегнетоэлектрических пленок титаната бария-стронция на сапфире

摘要

Представлена модель эпитаксиального роста кристаллических многокомпонентных пленок на монокри-стаплических подложках с доменным соответствием на примере твердого раствора титаната бария-стронция на подложках сапфира (г-срез). Доменный эпитаксиальный рост предполагает согласование плоскостей решетки пленки и подложки, имеющих схожую структуру, путем сопоставления доменов, кратных целому числу межплоскостных расстояний. Варьирование компонентного состава твердого раствора позволяет изменять размер домена в диапазоне, достаточном для снижения рассогласования решеток титаната бария-стронция и сапфира до значения, достаточного для эпитаксиального роста Таким образом может быть спроектирован эпитаксиальный рост пленок различных твердых растворов на монокристаллических подложках.