ГАЛЬВАНОМАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА ТОНКИХ ПЛЕНОК ВИСМУТА И СПЛАВОВ ВИСМУТ-СУРЬМА НА ПОДЛОЖКАХ С РАЗЛИЧНЫМ ТЕМПЕРАТУРНЫМ РАСШИРЕНИЕМ

摘要

Исследованы температурные зависимости гальваномагнитных свойств пленок висмута и сплавов Bi_(100-x)Sb_x (x≤12) на подложках с различным температурным коэффициентом расширения в интервале температур 77-300 K. Блочные пленки получены методом термического напыления, а монокристаллические пленки Bi_(100-x)Sb_x—-методом зонной перекристаллизации под покрытием. Установлено существенное влияние температурного коэффициента расширения подложки на гальваномагнитные свойств пленок висмута и Bi_(100-x)Sb_x. На основе экспериментальных результатов оценено изменение концентрации носителей заряда в пленках висмута и Bi_(100-x)Sb_x на различных подложках при 77 K.