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単結晶標的を利用した加速器陽電子源の開発

机译:单晶靶的加速器正电子源的发展

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摘要

電子·陽電子リニアコライダーなど次世代の高エネルギー電子?陽電子衝突型加速器では,衝突頻度を上げるために陽電子強度を飛躍的に増大させることが求められている.また,陽電子を蓄積する放射光光源への陽電子入射や物性研究における陽電子利用にとっても,加速器陽電子源の陽電子生成効率を向上させることは重要な課題である.  従来の陽電子源では,高エネルギー電子をタングステンやタンタルなと,融点が高く原子番号の大きな重金属標的に照射し,標的中で発達する電磁シャワーを通して陽電子を生成する.
机译:在下一代高能电子 - 正电子正碰撞促进剂如电子和正电子连接的情况下,需要大大增加正电子强度以增加碰撞频率。 此外,即使在正电子发病率和物理性质中用于积聚正数的正电子发病和物理性质,还可以提高加速器正电子源的正电子发电效率是一个重要问题。 在传统的正电子源中,高能量电子是钨和钽,熔点是高,并且照射原子数的大量金属靶,并通过靶中产生的电磁淋浴产生正电子。

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