低消費電力Si－MOSFET型水素ガスセンサの開発と寿命評価

摘要

1975年にI，Lundstrom等によりPdゲートSi－MOSFET型水素ガスセンサが提案されて以来、幾多の研究が実り、最近では、超低濃度（1－100ppm）の水素ガスリーク検知器として商剛ヒされている。しかしSi－MOS構造の水素ガスセンサは水素ガスセンサ市場で非常にマイナーな存在である。その理由は、大きく二つあるように思う。