希土類錯体の配位子場設計と強発光化

摘要

希土類錯体はf軌道に由来する半値幅の狭い発光を示すことから、次世代のELディスプレイや表示材料など様々な応用が期待されている。希土類錯体の発光は、励起状態からの1）放射失活過程、および2）無放射失活過程の2つの過程によって支配される。放射失活速度を大きくし、無放射失活速度を小さくすることで、希土類錯体を強発光へと導くことでできる。