赤外線急速加熱によるZnS系無機ELの作製

摘要

硫化亜鉛（ZnS）等のII-VI族半導体材料を用いた分散型無機ELは，照明や次世代ディスプレイへの応用が期待されている．我々はこれまでマイクロ波（MW）による急速加熱焼成を施して作製したZnS：Cuを用いて均一なEL発光を得た．本研究ではMW焼成のメカニズムの解明を目的として赤外線急速加熱焼成（RTA）により得られたZnS：Cuを用いてLELを作製し，MW焼成との比較を行った．