4インチ·ウエハプロセスによるDVD記録装置用高出力レーザ

摘要

今回我々は，4インチウエハ電産プロセスによる650nm帯単一横モード高出力レーザの作製に世界で初めて成功した．4インチ化において，4インチ導電性GaAs基板の結晶品質がレーザ特性に大きく影響することを確認した．また，電子デバイスで実績のあるプロセスを適用することにより，高精度かつ面内高均一なウエハプロセスを確立し，高いスループットでの高出力且つ高信賴度なレ一ザの製造を実現した．作製したレーザ素子は，4インチウエハ所内での分布（±σ）はしきい値Ithで±2．3％，効率乃で±1．1％に抑えられている，う50mW以上の高光出力は，600mA以下の駆動電流値で実現されており，gO°Cの高温においてもキンタフリーで良好な光出力特性を示している．また，リッジ形状の最適化および素子抵抗の低減によって，350mWにおける駆動電圧を3．OV程度に抑え，低消費電力なレーザを実現した．本レーザは，2層DVD±R／RWディスクへの8倍速以上との記録型DVD装置に適用可能と考えられる．