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首页> 外文期刊>電子情報通信学会技術研究報告. 電子部品·材料. Component Parts and Materials >実メモリモジュールを模擬したテスト基板におけるDDR2-SDRAMのVrefノイズ許容値の測定手法
【24h】

実メモリモジュールを模擬したテスト基板におけるDDR2-SDRAMのVrefノイズ許容値の測定手法

机译：DDR2-SDRAM对真实内存模块的DDR2-SDRAM VREF噪声公差的测量方法

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摘要

Vrefの適切なターゲットインピーダンスの設定により，低コストで高いノイズ耐性を有するDDR-SDRAMを実現することを目指し，プリント配線基板では対策が難しい高周波ノイズに対するノイズ耐性を強くするため，DRAMチップ内のVref給電網にローパスフィルタを挿入した．このフィルタの効果を実証するため，実メモリモジュールを模擬したテスト基板を用いたDDR2-SDRAMのVrefノイズ許容値の測定系を確立した．Vrefノイズ許容値の測定により，周波数が高いほどノイズ許容値が大きくなる結果が得られた．これはテストチップに挿入したローパスフィルタの効果によるものと考えられる．
机译：通过设定VREF的适当目标阻抗，我们的目标是实现具有低成本和高抗噪声的DDR-SDRAM，并且在印刷线路板中，在DRAM芯片中的VREF中，以加强对难以采取的高频噪声的抗噪声阻力将低通滤波器插入反馈中。 为了证明这种过滤器的效果，我们使用模拟真实内存模块的测试板建立了DDR2-SDRAM的VREF噪声容限的测量系统。 VREF由于噪声容差的测量而频率较高，噪声允许值增加。 这被认为是由于插入测试芯片中的低通滤波器的效果。

著录项

  • 来源
  • 作者

    植松裕; 大坂英樹; 西尾洋二; 波多野進; Yutaka UEMATSU; Hideki OSAKA; Yoji NISHIO; Susumu HATANO;

  • 作者单位

    Кузбасская государственная педагогическая академия Новокузнецк Кемеровской обл.;

    Кузбасская государственная педагогическая академия Новокузнецк Кемеровской обл.;

    Кузбасская государственная педагогическая академия Новокузнецк Кемеровской обл.;

    Кузбасская государственная педагогическая академия Новокузнецк Кемеровской обл.;

    Кузбасская государственная педагогическая академия Новокузнецк Кемеровской обл.;

    Кузбасская государственная педагогическая академия Новокузнецк Кемеровской обл.;

    Кузбасская государственная педагогическая академия Новокузнецк Кемеровской обл.;

    Кузбасская государственная педагогическая академия Новокузнецк Кемеровской обл.;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 jpn
  • 中图分类 一般性问题;
  • 关键词

    ノイズ許容値; ノイズ感度測定; ターゲットインピーダンス; DDR-SDRAM; Vref; Noise Tolerance; Noise Sensitivity Measurement; Target Impedance;

    机译：噪声容差;噪声灵敏度测量;目标阻抗;DDR-SDRAM;VREF;噪声容差;噪声灵敏度测量;目标阻抗;

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