SiC-MOSFETインバータによる3.7kW定格モータ駆動

摘要

半導体シリコンカーバイド(SiC)は次世代パワー半導体材料として期待されており，SiCを用いたパワーデバイスとそれを応用したインバータの実現が切望されている。 当社では，SiCパワーデバイスの研究開発を進めてその基本特性の向上を目指すとともに応用技術開発を行い，SiCデバイスの実用化を目指した研究開発を進めている。 低損失性とスイッチング駆動の容易さを両立できることから，SiC-MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)はインバータへの適用に理想的である。 しかし，SiC-MOSチャネル部の抵抗が高く，また，高温のプロセスが必要なため，インバータに必要な性能を得ることが困難であった。