机译:InAlas / Ingaas MHEMT装置中欧姆电极上的光致抗蚀剂开口行为的研究
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Telecommun Res Inst RF Power Components Res Sect Daejeon 30218 South Korea;
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InAlAs; InGaAs; mHEMT; Gate; Recess;
机译:InAlas / Ingaas MHEMT装置中欧姆电极上的光致抗蚀剂开口行为的研究
机译:选择表面欧姆金属以制造具有湿化学凹陷栅极的0.1 / splμm/ m的InAlAs / InGaAs异质结FET
机译:具有不带栅极凹槽的液相氧化InGaAs栅极的InAlAs / InGaAs变质高电子迁移率晶体管的改进的微波和噪声性能
机译:InGaAs的液相氧化及其在无栅凹槽的InAlAs / InGaAs MOS-MHEMT中的应用
机译:快速热CVD高k栅极电介质和CVD金属栅电极的技术开发和研究,用于未来的ULSI MOSFET器件集成:氧化锆和氧化ha。
机译:InGaAs / InAlAs SAGCM雪崩光电二极管的理论研究
机译:对Inalas / InGaas异质结构的p型欧姆接触的研究
机译:通过选择性侧壁凹陷消除Inalas / InGaas异质结中的台面 - 侧壁漏电