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Wafer CD Uniformity Improvement in Negative Tone Development Process

机译:晶圆CD均匀性改善阴性开发过程

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摘要

WCDU (wafer critical dimension uniformity) has become one of the most momentous factors in the resist process for mass production. Non-uniform WCDU, CD value changes from wafer center to edge, can occur in resist process despite tight critical dimension uniformity (CDU). In this paper, the resist components and the resist process conditions that influence on WCDU variation in negative tone development (NTD) process will be discussed. WCDU was measured with various parameters to understand the causes of current performance.
机译:WCDU(晶圆临界尺寸均匀性)已成为抗蚀剂批量生产过程中最重要的因素之一。 非均匀WCDU,从晶片中心到边缘的CD值会发生变化,尽管严重的尺寸均匀性(CDU),但仍可能发生在抗蚀剂过程中。 本文将讨论将讨论对阴性显影(NTD)过程的WCDU变化影响的抗蚀剂组分和抗蚀剂处理条件。 使用各种参数来测量WCDU,以了解当前性能的原因。

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