机译:TA2O5界面氧化层厚度对Al / Ta2O5 / P-Si / Al异质结构的电子参数的影响
Madanapalle Inst Technol &
Sci Dept Phys Madanapalle 517325 India;
Indian Inst Sci Dept Phys Bangalore 560012 Karnataka India;
Yeungnam Univ Dept Elect Engn 280 Daehak Ro Gyongsan 3854 South Korea;
Sri Venkateswara Univ Dept Phys Tirupati 517502 Andhra Pradesh India;
MIS structure; RF magnetron sputtering; Tantalum pentoxide; Schottky barrier height; Ideality factor;
机译:TA2O5界面氧化层厚度对Al / Ta2O5 / P-Si / Al异质结构的电子参数的影响
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