机译:强大的紫外线Ingan / GaN发光二极管的边缘和缺陷发光
Novosibirsk State Tech Univ Novosibirsk 630073 Russia;
Novosibirsk State Tech Univ Novosibirsk 630073 Russia;
Russian Acad Sci Rzhanov Inst Semicond Phys Siberian Branch Novosibirsk 630090 Russia;
机译:强大的紫外线Ingan / GaN发光二极管的边缘和缺陷发光
机译:使用空间分辨电致发光和光致发光研究了InGaN量子阱发光二极管的效率下降中的点缺陷,扩展缺陷和载流子局部的相互作用
机译:通过控制GaN缓冲层的形态来提高InGaN / GaN近紫外发光二极管的亮度和可靠性
机译:通过使用重掺杂Si的GaN生长模式过渡层实现高性能375 nm紫外InGaN / AlGaN发光二极管
机译:以极性,半极性和非极性方向生长的InGaN / GaN多量子阱发光二极管。
机译:独立式GaN衬底对紫外InGaN发光二极管中载流子定位的影响
机译:独立式GaN衬底对紫外InGaN发光二极管中载流子定位的影响