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Bit interleaved coded modulation to enable fractional bits-per-cell storage at NAND flash memory

机译:位交错编码调制,可将每单元小数位存储在NAND闪存中

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摘要

In this paper, a practically implementable bit interleaved coded modulation (BICM) scheme is introduced to enable fractional bits-per-cell storage at NAND flash cells. The proposed system utilizes a near systematic modulation scheme as well as a demodulation algorithm that generates reliability information for the use of soft-input error correction code (ECC) decoders. Both modulation and demodulation algorithms have simple structures and they are implemented in hardware efficiently with small area/power cost. Via software simulations and actual flash data experiments, we showed the benefits of the proposed BICM scheme using a low density parity check (LDPC) code. (C) 2016 Elsevier GmbH. All rights reserved.
机译:本文介绍了一种切实可行的比特交织编码调制(BICM)方案,以使每单位小数位存储在NAND闪存单元中。所提出的系统利用了近乎系统的调制方案以及一种解调算法,该算法生成了可靠性信息以供使用软输入纠错码(ECC)解码器使用。调制和解调算法都具有简单的结构,并且它们以较小的面积/功耗在硬件中高效地实现。通过软件仿真和实际的闪存数据实验,我们展示了使用低密度奇偶校验(LDPC)代码提出的BICM方案的优势。 (C)2016 Elsevier GmbH。版权所有。

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