首页> 外文期刊>Neural Networks: The Official Journal of the International Neural Network Society >On the validity of memristor modeling in the neural network literature
【24h】

On the validity of memristor modeling in the neural network literature

机译:论神经网络文学中忆阻型建模的有效性

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
       

摘要

An analysis of the literature shows that there are two types of non-memristive models that have been widely used in the modeling of so-called "memristive" neural networks. Here, we demonstrate that such models have nothing in common with the concept of memristive elements: they describe either non-linear resistors or certain bi-state systems, which all are devices without memory. Therefore, the results presented in a significant number of publications are at least questionable, if not completely irrelevant to the actual field of memristive neural networks. (C) 2019 Elsevier Ltd. All rights reserved.
机译:对文献的分析表明,存在两种类型的非忆内模型,这些模型已广泛用于所谓的“忆内”神经网络的建模。 在这里,我们展示了这些模型与忆内元件的概念没有任何共同之处:它们描述了非线性电阻或某些双状态系统,所有这些都是没有存储器的设备。 因此,在大量出版物中呈现的结果至少是可疑的,如果没有完全无关与忆内神经网络的实际领域。 (c)2019年elestvier有限公司保留所有权利。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号