机译:五章和MOS_2单层复合物的电荷转移和界面工程
School of Advanced Materials Peking University Shenzhen Graduate School Shenzhen 518055 China;
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机译:五章和MOS_2单层复合物的电荷转移和界面工程
机译:单层MoS_2相变存储器的工程热和电界面性质。
机译:通过接口工程调整金属和MOS_2单层之间的接触屏障高度
机译:有序单分子层中电荷转移复合物的形成和电子转移
机译:通过电荷转移掺杂实现钙钛矿和电子传输层界面的费米能级工程
机译:用GW / Bethe–Salpeter方程方法重新研究并五苯/ C60界面的电荷转移状态
机译:五苯甲酸酯 - 全氟化苯甲酸苯甲酸苯甲酸纤维包装界面的电荷转移激发和不对称能量转移