ありふれた元素で 東工大物材機構 薄膜太陽電池に期待

摘要

東京工業大学と物質· 材料研究機構の研究グル ープは、希少金属を含ま ない窒化銅を使って高性 能な窒化物半導体を開発 したと発表した。P型と n型の両方で高い伝導キ ャリア移動度を示す。ァ ンモニァと酸化性ガスを 使った合成法で、低コス ト·大面積化に適してい る。安価な薄膜太陽電池 への応用が期待される。