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机译:INAS / GAAS子单层量子点附近的载波运输和重组动力学靠近红外光电探测器
HBNI Surface Phys &
Mat Sci Div Saha Inst Nucl Phys Kolkata 700064 India;
Presidency Univ Dept Phys 86-1 Coll St Kolkata 700073 India;
HBNI Surface Phys &
Mat Sci Div Saha Inst Nucl Phys Kolkata 700064 India;
Presidency Univ Dept Phys 86-1 Coll St Kolkata 700073 India;
Indian Inst Technol Dept Elect Engn Mumbai 400076 Maharashtra India;
Presidency Univ Dept Phys 86-1 Coll St Kolkata 700073 India;
HBNI Surface Phys &
Mat Sci Div Saha Inst Nucl Phys Kolkata 700064 India;
quantum dot photodetector; near-infrared photoresponse; inter-dot tunneling; recombination dynamics; temporal photoresponse; submonolayer coverage; photoconductive gain;
机译:INAS / GAAS子单层量子点附近的载波运输和重组动力学靠近红外光电探测器
机译:多堆叠InAs / InGaAs亚单层量子点红外光电探测器
机译:InAs / GaAs量子点红外光电探测器载流子动力学的温度依赖性
机译:掺杂对载波占用和InAs / GaAs量子点红外光电探测器的运输作用:电容 - 电压光谱研究
机译:用于红外光电检测应用的InAs / GaAs量子点的Nextnano模拟。
机译:基于混合自组装和亚单分子层量子点的电压可调中长波长双波段红外光电探测器
机译:红外光电探测器量子阱多层结构中InAs / InGaAs / GaAs量子点的光学性质研究
机译:多堆Inas / InGaas亚单层量子点红外光电探测器。