机译:外延MgXCr2-XO3和Alxcr2-XO3(x = 0,0.1,0.2和0.3)薄膜上沉积在蓝宝石基材上的比较研究
Natl Inst Technol Dept Mat Sci &
Engn Hamirpur 177005 India;
Natl Inst Technol Dept Phys &
Photon Sci Hamirpur 177005 India;
Natl Inst Technol Dept Mat Sci &
Engn Hamirpur 177005 India;
Natl Inst Technol Dept Mat Sci &
Engn Hamirpur 177005 India;
Epitaxial thin films; Transparent conducting oxide material; Figure of merit (FOM); Optical transparency and invisible electronics;
机译:外延MgXCr2-XO3和Alxcr2-XO3(x = 0,0.1,0.2和0.3)薄膜上沉积在蓝宝石基材上的比较研究
机译:薄膜磷光体与基底有关的发光特性:沉积在SiO_2,Si和蓝宝石基底上的Eu〜(3+)掺杂ZnO薄膜的比较研究
机译:Pr0.5Ca0.5(Ba1-xSrx)(2)Cu3O7-y(x = 0,0.1,0.2,0.3)外延薄膜的传输特性
机译:ECR等离子体沉积在蓝宝石衬底上的外延AlN薄膜的特性
机译:通过反应分子束外延和材料表征,在蓝宝石衬底上生长纤锌矿型氮化镓外延膜。
机译:在不加热衬底的情况下通过射频磁控等离子体溅射沉积的铝掺杂氧化锌薄膜的空间分辨光电性能
机译:外延Srruo3薄膜沉积在SRO缓冲-Si(001)基板上的铁电PB(Zr0.2Ti0.8)O3薄膜
机译:(0001)和(0112)蓝宝石衬底上GaN薄膜物理性质的比较