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Electrical properties of bilayer graphene synthesized using. surface wave microwave plasma techniques at low temperature

机译:双层石墨烯的电气性能合成使用。 低温下表面波微波等离子体技术

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摘要

Bilayer graphene was synthesized at low temperature using. surface wave microwave plasma techniques where poly(methyl metacrylate) (PMMA) and methane (CH4) were used as carbon sources. Temperature-dependent Hall effect measurements were carried out in a. helium atmosphere. Sheet resistance, sheet carrier density and mobility showed weak temperature dependence for graphene from PMMA, and the highest carrier mobility is 740 cm(2) V-1 s(-1). For graphene from CH4, tunneling of the. domain boundary limited. carrier transport. The difference in average domain size. was. determined by Raman signal maps. In addition, residuals of PMMA were. detected on graphene from PMMA. The low sheet resistances of graphene synthesized at a. temperature of 280 degrees C using. plasma techniques were explained by the PMMA related residuals rather than the domain sizes.
机译:双层石墨烯在低温下合成。 使用聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)和甲烷(CH 4)作为碳源的表面波微波等离子体技术。 在a中进行温度依赖的霍尔效应测量。 氦气气氛。 薄层电阻,片材载体密度和迁移率显示出对PMMA的石墨烯的弱温依赖性,并且最高载流子迁移率为740cm(2)V-1s(-1)。 对于来自CH4的石墨烯,隧道的隧道。 域边界有限。 载体运输。 平均域大小的差异。 曾是。 由拉曼信号图决定。 此外,PMMA的残留物是。 从PMMA上检测到石墨烯上。 石墨烯的低薄层电阻在a中合成。 使用280摄氏度的温度。 PMMA相关的残差来解释等离子体技术,而不是域尺寸。

著录项

  • 来源
    《Nanotechnology》 |2017年第2期|共7页
  • 作者单位

    Natl Inst Adv Ind Sci &

    Technol Nanomat Res Inst 1-1-1 Higashi Tsukuba Ibaraki 3058565 Japan;

    Natl Inst Adv Ind Sci &

    Technol Adv Power Elect Res Ctr 1-1-1 Umezono Tsukuba Ibaraki 3058568 Japan;

    Natl Inst Adv Ind Sci &

    Technol Nanomat Res Inst 1-1-1 Higashi Tsukuba Ibaraki 3058565 Japan;

    Natl Inst Adv Ind Sci &

    Technol Nanomat Res Inst 1-1-1 Higashi Tsukuba Ibaraki 3058565 Japan;

    Natl Inst Adv Ind Sci &

    Technol Nanomat Res Inst 1-1-1 Higashi Tsukuba Ibaraki 3058565 Japan;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 特种结构材料;
  • 关键词

    graphene; PMMA; Hall effect measurements; Raman map;

    机译:石墨烯;PMMA;霍尔效应测量;拉曼地图;

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