机译:三轴均匀的高质量Alxga(1-x)n(x类似于50%)模板自由蓝宝石衬底上的纳米线
Indian Inst Technol Dept Elect Engn Bombay 400076 Maharashtra India;
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Indian Inst Technol Dept Phys Bombay 400076 Maharashtra India;
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AlGaN nanowires; PA-MBE; UV light;
机译:三轴均匀的高质量Alxga(1-x)n(x类似于50%)模板自由蓝宝石衬底上的纳米线
机译:通过两步生长方法在蓝宝石上生长的高质量且无裂纹的AlxGa1-xN(x近似于0.2)
机译:在蓝宝石基板上的卤化物蒸汽相位和(IN_(1-x)Ga_x)_2O_3和GaN / Al_2O_3模板
机译:透射电子显微镜观察在具有AlN中间层的GaN /蓝宝石模板上生长的AlxGa(1-x)N外延层的形貌和微观结构演变
机译:一种简便的无一步模板无模板的方法,用于合成非掺杂和铁掺杂的隐mel烷型氧化锰K-OMS-2的均匀空心微结构。
机译:蓝宝石衬底上具有纳米尺度厚AlN成核层的高质量无裂纹AlN薄膜的异质外延生长用于基于AlGaN的深紫外发光二极管
机译:具有纳米级厚的Aln成核层对基于Algan的深紫外发光二极管的纳米级厚的Aln成核膜的高质量和无裂缝Aln膜的异质生长
机译:通过弛豫渐变Gexsi(1-x)缓冲层在Ge / Gesi / si衬底上直接单片集成alxGa(1-x)as / InxGa(1-x)as LED和激光器的策略。