昭和電工、参画する次世代半導体実装プロジェクトで成果

摘要

昭和電工が参画する大阪大学（菅沼克昭教授）のプロジェクトは、SiC（シリコンカー バイド）パワー半導体が300℃の高温域でも安定的に動作する基板構造を開発した。同プロジェクトでは、菅原教授がアルミニウムの耐熱特性に着目。