机译:高通态电流的基于AlN / GaN的双异质结鳍型高电子迁移率晶体管的设计优化
Fin-Shaped Field-Effect Transistor (FinFET); High Electron Mobility Transistor (HEMT) Double Heterojunction; AlN; TCAD;
机译:高通态电流的基于AlN / GaN的双异质结鳍型高电子迁移率晶体管的设计优化
机译:超薄AlN势垒在GaN基双异质结高电子迁移率晶体管的热电子降低和自热效应中的作用
机译:通过外延层应力工程提高AlN / GaN / AlN双异质结高电子迁移率晶体管中的2D电子迁移率
机译:AL_XGA_(1-X)N /(ALN)/ GAN高电子移动晶体管的自洽所述子带计算
机译:辐照损伤对GaN基金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管和β-GA2O3的影响
机译:氮化镓等离子增强原子层沉积对氮化镓基高电子迁移率晶体管的氮化铝表面钝化
机译:具有InGaN背势垒的AlxGa1-xN / AlN / GaN高电子迁移率晶体管的摩尔内分数和层厚度的数值优化
机译:改进的应变HEmT(高电子迁移率晶体管)特性使用双(0.65)Ga(0.35)as / In(0.52)al(0.48)设计的双异质结。