A ZnFe_2O_4-ZnO nanorod array p-n junction composite and its photoelectrochemical performance

Bu Y.; Chen Z.; Li W.

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【24h】

A ZnFe_2O_4-ZnO nanorod array p-n junction composite and its photoelectrochemical performance

机译：ZnFe_2O_4-ZnO纳米棒阵列p-n结复合材料及其光电化学性能

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A ZnFe_2O_4-ZnO nanorod array (NRA) with a three-dimensional network nanometer structure was prepared. The photoelectrochemical performance of the ZnFe_2O_4-ZnO NRA composite is significantly improved due to the formation of a p-n heterojunction electric field at the interface between ZnFe_2O_4 and ZnO, the increase of the overall utilization efficiency of incident light energy, and the visible light absorption capability of ZnFe_2O_4.

机译：制备了具有三维网络纳米结构的ZnFe_2O_4-ZnO纳米棒阵列（NRA）。 ZnFe_2O_4-ZnO NRA复合材料的光电化学性能由于在ZnFe_2O_4与ZnO之间的界面处形成了pn异质结电场，入射光能的整体利用效率的提高以及可见光吸收能力的提高而得到显着改善。 ZnFe_2O_4。

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来源
《Dalton transactions: An international journal of inorganic chemistry 》 |2013年第46期| 共4页
作者
Bu Y.; Chen Z.; Li W.;
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作者单位

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收录信息
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类
关键词
Incident light; Nanometer structure; P-n heterojunctions;

机译：入射光纳米结构P-n异质结;

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