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Local structure around sn in CeCoIn5-xSnx

机译:CeCoIn5-xSnx中sn周围的局部结构

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摘要

The local structure around Sri dopants in CeCoIn5-xSnx has been probed by extended X-ray absorption fine structure (EXAFS) technique. Our fit results for both x = 0.12 and x = 0.18 clearly indicate the dopant Sri atoms predominantly occupying the planar In(1) site. These results are consistent with the quasi-two-dimensional electronic properties of CeCoIn5 and will be discussed in relation to the observed bulk properties. (c) 2005 Elsevier B.V. All rights reserved.
机译:CeCoIn5-xSnx中Sri掺杂物周围的局部结构已通过扩展X射线吸收精细结构(EXAFS)技术进行了探测。 x = 0.12和x = 0.18的拟合结果清楚地表明,掺杂剂Sri原子主要占据了平面In(1)位置。这些结果与CeCoIn5的准二维电子性质一致,并将与观察到的整体性质进行讨论。 (c)2005 Elsevier B.V.保留所有权利。

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