Tunability of Short-Channel Effects in MoS2 Field-Effect Devices

Zhang Feng; Appenzeller Joerg

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Tunability of Short-Channel Effects in MoS2 Field-Effect Devices

机译：MoS2场效应器件中短通道效应的可调谐性

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来源
《Nano letters 》 |2015年第1期| 共6页
作者
Zhang Feng; Appenzeller Joerg;
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作者单位

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收录信息
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类
关键词
2D-layered materials; MoS2; dielectric constant; short channel effects; ultrathin body devices;

机译：二维层材料;MoS2;介电常数;短通道效应;超薄体装置;

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