歪緩和バリア層に埋め込んだEr添加したInAs量子ドットをもつ多層膜光共振器による超高速全光スイッチ

摘要

本研究では、歪緩和InGaAsバリア層に埋め込んだEr添加したInAs量子ドットを共振器層に含むGaAs/AIAs 多層膜光共振器を分子線エピタキシー法により作製し、その1.55μm波長帯の超高速光スイッチング特性について報告する。In組成の高い歪緩和InGaAsバリア層に埋め込んだEr添加したInAs量子ドットを共振器層として用い、超高速なキャリア緩和（＜数ps）を維持しながら吸収飽和による高い光非線形性を実現した。共振器モードの波長（1.5μm）で時間分解透過率変化測定を行い、超高速光スイッチング特性を調べた。今回作製したEr添加したInAs量子ドット共振器の応答速度は4psと速く、何も添加していないInAs量子ドット共振器の応答速度（12ps）にくらべて大きく改善した。