DFBレーザを集積したマッハツェンダ干渉計型電界吸収光変調器の低駆動電圧動作

摘要

電界吸収型光変調器（EAM）を集積した半導体レーザは低消費電力·低コストな中距離光伝送用の光送信器に重要な素子であり、送信器の低消費電力化の観点から、その駆動電圧振幅（V_m）の低減が強く望まれている。我々は従来のEAMの光吸収に加えて干渉計による消光作用を利用する事で消光比の大幅な向上が可能となる、即ち所定の消光比を得るためのV_mの低減が可能となるマッハツェンダ（MZ）型EAM（MZEA）を提案し、その低電圧動作を実証してきた。更に今回、このMZEAを分布帰還形レーザ（DFBレーザ）と集積したMZEA-DFBレーザを作製し、従来のEAM集積DFBレーザと同程度の光出力強度と低V_m動作を同時に実現したので報告する。