アンモニアガス中の水分によるInGaN LEDのEL発光強度への影響－MOVPEによるLED構造の成長におけるアンモニアガス中の水分管理

摘要

窒化物半導体分野に関連する技術として、有機金属気相成長(MOVPE)技術、NH{sub}3ガス精製技術、原料中の微量不純物分析技術等の技術開発を行っている。 NH{sub}3ガス中の水分は、MOVPEによるGaN系化合物半導体の成長膜に影響を与えると言われる。 本研究では、炉内雰囲気中の水分がInGaN/GaN量子井戸層に取り込まれ、LED (light-emitting diode)のEL発光強度を大きく低下させることを明らかにした。 また、NH{sub}3ガス供給技術の観点から、原料NH{sub}3ガス中に含まれる水分濃度が変動した場合でも、NH{sub}3ガス精製装置を使用することによって、常に安定した純度のNH{sub}3ガス供給が可能であることを、EL発光強度、SIMS分析およびNH{sub}3ガス中の水分濃度をCRDS方式の測定によるOn-Site分析により実証した。