大容量Chain-FeRAM用高信頼微細キャパシタプロセス技術

摘要

低消費電量、高速R/W、高エンデュランスなどの特徴をもつFeRAMは大容量化、微細化が要望されているが、インテグレーションプロセスで強誘電体キャパシタが容易に劣化する問題がある。 本発表では高品質PZT膜、SrRuO{sub}3/IrO{sub}2上部電極等を用いたロバストなキャパシタ構造を中心に微細強誘電体キャパシタのキープロセス技術を紹介する。