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AIGaN系深紫外LEDの進展と今後の展望

机译:基于AIGaN的深紫外LED的进展和未来前景

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摘要

波長が220~350nmの半導体深紫外光源(deep-ultraviolet lightemltting diode(DUV-LED)·1aser dlOde(LD))は,幅広い分野への応用が考えられその実現への期待が高い。図1にDUV-LED·LDの今後の応用についてまとめた。DUV-LED·LDは,殺菌·浄水,医療分野·生化学産業などへの応用が考えられるほか,高密度光記録用光源やLED照明,UV硬化樹脂等への産業応用,蛍光分析などの各種センシング,酸化チタンとの組み合わせによる環境破壊物質(ダイオキシン,環境ホルモン,PCB等)の高速分解処理など応用範囲が幅広い。殺菌効果では,DNAの吸収波長と重なる260-280nm付近の波長でもっとも効果が高いことが知られている。
机译:期望将波长为220至350nm的半导体深紫外光源(dUV-LED)称为1aser dlOde(LD),并将其应用于广泛的领域。图1总结了DUV-LED·LD的未来应用。 DUV-LED / LD可以应用于杀菌/水净化,医疗领域/生化行业等,以及高密度光记录光源,LED照明,UV固化树脂在工业上的应用,荧光分析等各种类型。它具有广泛的应用,例如与氧化钛结合使用的环境破坏性物质(二恶英,环境激素,PCB等)的感测和高速分解处理。众所周知,杀菌作用在接近于260-280nm的波长处最高,该波长与DNA的吸收波长重叠。

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