lTOに代る透明導電膜材料金属性SWCNTの濃縮に成功

摘要

産業技術総合研究所ナノテクロノジー研究部門、自己組織エレクトロニクスグループは、過酸化水素を用いた短時間の処理で、単層カーボンナノチューブ（SWCNT）中の半導体性SWCNTを除去して、金属性SWCNTを80％まで濃縮することに成功した。 透明導電性薄膜ITOは、液晶ディスプレイなどに使われているが、現在インジウムが希少資源であることからコスト増や、資源の確保が問題となっている。