世界初、8インチSiC on Si基板、量産化スタート高周波デバイス向けにサンプル出荷長野県安曇野市に量産工場間設／3年後に数百億円レベルの事業化目指す

摘要

エア·ウォーター（青木弘会長）は、このほど、かねてから開発を進めていた8インチSiC（シリコンカーバイド）基板の量産体制を確立、本年4月より高周波デバイス製造企業に向けてサンプル出荷を開始している。このウエーハは、3C－SiC（111）ヘテロエピウエーハと呼ばれるもので、シリコン（Si）基板の上に約3ミクロンの炭化ケイ素（SiC）薄膜を成膜した構造をしたもの。8インチ以上の大口径でSiC基板を量産化できるのは世界初としている。