ダイヤモンド電子デバイス応用への研究課題

摘要

ダイヤモンドが電子デバイス応用材料として期待される要因は，大きなバンドギャップ（5.5eV），高いキャリヤ移動度（3800（p）～4500（n）㎝~2／（V·s））と飽和速度（1.0×10~7（p），2.7×10~7（n）㎝/s），物質中最大の熱伝導率（22W/（cm·K）），高い破壊電界（＞3MV/㎝）によるものである．この物性値から期待される電子デバイスの応用分野は広く，性能指標からは高温動作や高出力·高周波動作（Johnsonの性能指標），低損失高出力素子（Baligaの性能指標），集積回路（Keyesの性能指標）応用においてほかの材料の数倍から数万倍以上の値となっており，さらにこれらの動作の組合せによる新しい機能性デバイスが期待されている．