КОМПЬЮТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ОБРАЗОВАНИЯ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ В КЕРАМИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛАХ MgSiO3

摘要

Методом функционала электронной плотности исследовано образование точечных дефектов по Шоттки в керамике MgSiO3. Показано, что образование вакансии Mg в положении Mg2 почти на 1 эВ выгоднее, чем в положении Mg1. Наибольшей энергией образования обладает вакансия кремния. Наиболее энергетически выгодным дефектом является вакансия кислорода в положении O3 в решетки энстатита. Приведены результаты по влиянию вакансий атомов на структурные свойства MgSiO3.