ПРОСТРАНСТВЕННО-РАЗРЕШЕННЫЙ АНАЛИЗ КОНТАКТНЫХ НАПРЯЖЕНИЙ В ЛИНЕЙКАХ ЛАЗЕРНЫХ ДИОДОВ НА ОСНОВЕ ЭФФЕКТА ДЕФОРМАЦИОННОГО ПОТЕНЦИАЛА

摘要

Изложены методы экспериментальных исследований распределения напряжений в кристаллах полупроводниковых лазеров на основе эффекта деформационного потенциала. Приведены результаты разработки стенда и метода измерения пространственно-разрешенных спектров излучения линеек лазерных диодов в составе излучателей производства РФЯЦ-ВНИИТФ. Дана количественная оценка значений контактных напряжений в линейках лазерных диодов для нескольких вариантов материалов конструкций излучателей, различающихся своими физико-механическими характеристиками.